本文援用地址:1 专一GaN的使氮垂直整合Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体规模的全天下争先企业,自动于妄想以及制作用于新世代电力零星的化镓高功能、高坚贞性650 V、产物900 V 以及1 200 V( 当初处于开拓阶段)氮化镓器件 。更高Transphorm 具备1 000 多项专利
本文援用地址:
1 专一GaN的使氮垂直整合
Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体规模的全天下争先企业,自动于妄想以及制作用于新世代电力零星的化镓高功能、高坚贞性650 V、产物900 V 以及1 200 V( 当初处于开拓阶段)氮化镓器件 。更高
Transphorm 具备1 000 多项专利